我也不懂,说DUV多重曝光也能做到7nm,国内可以研发DUV
台积电第一代7nm就是用duv做出来的,但是成本会高不少
离子束刻蚀还可以做得更小,问题是成本高,没有工业化的意义。多重曝光良率和工艺效率也是较低的,当然euv成本也不低,所以也是能做。但3nm就不行了。
我记得麒麟9904G好像就是duv的7nm
有业内人士说哈,是不是7nm后,意义都不大了。
90%以上的芯片都不需要7nm工艺 对国产芯片谈7nm说实话毫无意义 想办法把国产设备搞起来才行 应该组建国家半导体装备集团 所有供应商去长江存储 一起攻坚
DUV 多重曝光就可以支持7nm,但是成本太高,同时导致良率下降
7纳米不单单是光刻机决定的,还有很多设备卡着。
国产芯片最大的问题不是精度,是稳定性
摩尔定律都失效了。1nm之后是什么? 另外,CPU最大问题是功耗,功耗上去了,就发热严重,并不是做不出,而是既要高精度纳米制程的,又要功耗低,但是这两个就是互斥的矛盾体,只能不断试错,找平衡点。